2012屆高考物理命題專項(xiàng)復(fù)習(xí)題(附參考答案)

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備戰(zhàn)2012屆高考物理一輪復(fù)習(xí)揭秘系列講義:揭秘31 帶電粒子在電場中的類平拋運(yùn)動(dòng)在磁場中的偏轉(zhuǎn)(人教版)
高頻考點(diǎn):帶電粒子在電場中的類平拋運(yùn)動(dòng)、在磁場中的偏轉(zhuǎn)
動(dòng)態(tài)發(fā)布:2011全國理綜第25題、2008天津理綜第23題、2008寧夏理綜第24題
命題規(guī)律:帶電粒子在電場中的類平拋運(yùn)動(dòng)、在磁場中的偏轉(zhuǎn)是帶電粒子在電場磁場中運(yùn)動(dòng)的重要題型,是高考考查的重點(diǎn)和熱點(diǎn),一般以壓軸題出現(xiàn),難度大、分值高、區(qū)分度大。
命題分析
考查方式一 考查帶電粒子在傾斜邊界電場中的類平拋運(yùn)動(dòng)、在磁場中的勻速圓周運(yùn)動(dòng)
【命題分析】電粒子在傾斜邊界上的類平拋運(yùn)動(dòng)可遷移在斜面上的平拋運(yùn)動(dòng)問題的分析方法、在磁場中的勻速圓周運(yùn)動(dòng)可依據(jù)洛倫茲力等于向心力列方程解答。此類題難度中等。
例1. (2011全國理綜第25題)如圖,與水平面成45°角的平面N將空間分成I和II兩個(gè)區(qū)域。一質(zhì)量為、電荷量為q(q>0)的粒子以速度v0從平面N上的P0點(diǎn)水平向右射入I區(qū)。粒子在I區(qū)運(yùn)動(dòng)時(shí),只受到大小不變、方向豎直向下的電場作用,電場強(qiáng)度大小為E;在II區(qū)運(yùn)動(dòng)時(shí),只受到勻強(qiáng)磁場的作用,磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為B,方向垂直于紙面向里。求粒子首次從II區(qū)離開時(shí)到出發(fā)點(diǎn)P0的距離。粒子的重力可以忽略。
【標(biāo)準(zhǔn)解答】帶電粒子進(jìn)入電場后,在電場力作用下沿拋物線運(yùn)動(dòng),其加速度方向豎直向下,設(shè)其大小為a,由牛頓運(yùn)動(dòng)定律得qE=a ①
經(jīng)過時(shí)間t0,粒子從平面N上的點(diǎn)P1進(jìn)入磁場,由運(yùn)動(dòng)學(xué)公式和幾何關(guān)系得,
v0t0= at02 ②
粒子速度大小v1為v1= 。③
設(shè)速度方向與豎直方向的夾角為α,tanα= 。④
此時(shí)粒子到出發(fā)點(diǎn)P0的距離為s0= v0t0 ⑤

此后粒子進(jìn)入磁場,在洛侖茲力作用下做勻速圓周運(yùn)動(dòng),圓周半徑r1= . ⑥
設(shè)粒子首次離開磁場的點(diǎn)為P2,弧 所張的圓心角為2β,則點(diǎn)P1到點(diǎn)P2的距離為
s1=2r1sinβ,⑦
由幾何關(guān)系得 α+β=45°⑧
勻速圓周運(yùn)動(dòng)可依據(jù)洛倫茲力等于向心力列方程解答。此類題難度中等。


例2(2008天津理綜第23題)在平面直角坐標(biāo)系xOy中,第I象限存在沿y軸負(fù)方向的勻強(qiáng)電場,第IV象限存在垂直于坐標(biāo)平面向外的勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度為B.一質(zhì)量為,電荷量為q的帶正電的粒子從y軸正半軸上的點(diǎn)以速度v0垂直于y軸射入電場,經(jīng)x軸上的N點(diǎn)與x軸正方向成60⩝角射入磁場,最后從y軸負(fù)半軸上的P點(diǎn)垂直于y軸射出磁場,如圖所示.不計(jì)粒子重力,求:
⑴、N兩點(diǎn)間的電勢差UN;
⑵粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)的軌道半徑r;
⑶粒子從點(diǎn)運(yùn)動(dòng)到P點(diǎn)的總時(shí)間t.

【標(biāo)準(zhǔn)解答】⑴設(shè)粒子過N點(diǎn)的速度為v,有

v=2v0
粒子從點(diǎn)到N點(diǎn)的過程,有


⑵粒子在磁場中以O(shè)′為圓心做勻速圓周運(yùn)動(dòng),半徑為O′N,有


⑶由幾何關(guān)系得:ON = rsinθ
設(shè)粒子在電場中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間為t1,有
ON =v0t1


例3(2008寧夏理綜第24題) 如圖所示,在xOy平面的第一象限有一勻強(qiáng)電場,電場的方向平行于y軸向下;在x軸和第四象限的射線OC之間有一勻強(qiáng)磁場,磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小為B,方向垂直于紙面向外。有一質(zhì)量為,帶有電荷量+q的質(zhì)點(diǎn)由電場左側(cè)平行于x軸射入電場。質(zhì)點(diǎn)到達(dá)x軸上A點(diǎn)時(shí),速度方向與x軸的夾角 ,A點(diǎn)與原點(diǎn)O的距離為d。接著,質(zhì)點(diǎn)進(jìn)入磁場,并垂直于OC飛離磁場。不計(jì)重力影響。若OC與x軸的夾角為 ,求
(1)粒子在磁場中運(yùn)動(dòng)速度的大。
(2)勻強(qiáng)電場的場強(qiáng)大小。
【標(biāo)準(zhǔn)解答】 (1)質(zhì)點(diǎn)在磁場中的軌跡為一圓弧。由于質(zhì)點(diǎn)飛離磁場時(shí),速度垂直于OC,故圓弧的圓心在OC上。依題意,質(zhì)點(diǎn)軌跡與x軸的交點(diǎn)為A,過A點(diǎn)作與A點(diǎn)的速度方向垂直的直線,與OC交于O'。由幾何關(guān)系知,AO'垂直于OC',O'是圓弧的圓心。設(shè)圓弧的半徑為R,則有
R=dsin①
由洛化茲力公式和牛頓第二定律得

將①式代入②式,得

(2)質(zhì)點(diǎn)在電場中的運(yùn)動(dòng)為類平拋運(yùn)動(dòng)。設(shè)質(zhì)點(diǎn)射入電場的速度為v0,在電場中的加速度為a,運(yùn)動(dòng)時(shí)間為t,則有
v0=vcos④





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